西门子模块6AV2124-2DC01-0AX0技术参数

西门子模块6AV2124-2DC01-0AX0技术参数

这些数据可以从输入端口上连接的外部器件获得，需要使用传送指令读取这些器件上的数据并送到内部单元；初始数据也可以用程序设置，即向内部单元传送立即数；另外，某些运算数据存储在机内的某个地方，等程序开始运行时通过初始化程序送到工作单元。

(1) 机内数据的存取管理

在数据运算过程中，机内的数据传送是不可缺少的。运算可能要涉及不同的工作单元，数据需在他们之间传送；运算可能会产生一些中间数据，这需要传送到适当的地方暂时存放；有时机内的数据需要备份保存，这要找地方把这些数据存储妥当。总之，对一个涉及数据运算的程序，数据管理是很重要的。

此外，二进制和 BCD 码的转换在数据管理中也是很重要的。

(2) 运算处理向输出端口传送

运算处理总是要通过输出实现对执行器件的控制，或者输出数据用于显示，或者作为其他设备的工作数据。对于输出口连接的离散执行器件，可成组处理后看作是整体的数据单元，按各口的目标状态送入一定的数据，可实现对这些器件的控制。

(3) 比较指令用于建立控制点

控制现场常有将某个物理量的量值或变化区间作为控制点的情况。如温度低于多少度就打开电热器，速度**或低于一个区间就报警等。作为一个控制“阀门”，比较指令常出现在工业控制程序中

三菱FX机型可编程控制器中的定时器是对机内1ms、10ms、100ms等不同规格时钟脉冲累加计时的。定时器除了占有自己编号的存储器位外,还占有一个设定值寄存器和一个当前值寄存器。

具体工作历程

定时器满足计时条件时开始计时,当前值寄存器则开始计数,当它的当前值与设定值寄存器存放的设定值相等时定时器动作,其常开触点接通,常闭触点断开,并通过程序作用于控制对象,达到时间控制的目的。

定时器的类型 ：有通用型、积算型两大类

通用定时器：FX系列PLC有100ms、10ms、1ms3种定时器，不同型号PLC的不同3种定时器的范围不同，而同一型号的PLC的3种定时器的范围还可由特殊辅助继电器M8028的状态改变

主程序结束指令FEND 
    FEND指令表示主程序的结束，子程序的开始。程序执行到FEND指令时，进行输出处理、输入处理、监视定时器刷新，完成后返回第0步。 
    FEND指令通常与CJ-P-FEND、CALL-P-SRET和I-IRET结构一起使用（P表示程序指针、I表示中断指针）。CALL指令的指针及子程序、中断指针及中断子程序都应放在FEND指令之后。CALL指令调用的子程序必须以子程序返回指令SRET结束。中断子程序必须以中断返回指令IRET结束。

5、监视定时器刷新指令WDT 
    如果扫描时间（从第０步到END或FEND）**过100ms，PLC将停止运行。在这种情况之下，应将WDT指令插到合适的程序步（扫描时间不**过100ms）中刷新监视定时器。

6、循环开始指令FOR与循环结束指令NEXT 
    FOR~NEXT之间的程序重复执行n次（由操作数*）后再执行NEXT指令后的程序。循环次数n的范围为1~32767。若n的取值范围为-32767~0，循环次数作1处理。
    FOR与NEXT总是成对出现，且应FOR在前，NEXT在后。FOR~NEXT循环指令较多可以嵌套5层。

    利用CJ指令可以跳出FOR~NEXT循环体。

1、物质的分类
按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。
导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝  电阻率一般小于10－4Ω•cm
绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。
电阻率在108Ω•cm以上
半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。
纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω•cm
2、半导体的特性
与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点：
（1）电阻率的大小受杂质含量多少的影响较大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω•cm下降到0.4Ω•cm，变化了50多万倍；
（2）电阻率受环境温度的影响很大。
例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右；金属每升高10℃时，电阻率只增加4％左右。
热敏电阻：正温度系数—随着温度的升高，电阻阻值增加 。
负温度系数―随着温度的升高，电阻阻值减小 。
（3）光线的照射也会明显地影响半导体地导电性能。      光敏电阻
3、半导体的结构
半导体材料锗和硅都是四价元素，它们原子核外层有四个价电子。正常情况下电子受原子核的束缚，不能任意移动，所以导电性能差。因为物体的导电是靠带电荷的粒子定向移动来实现的。
当向半导体内掺入杂质后，晶体内部原有的平衡被打破，当掺入硼原子时，它外层原有的三个价电子和周围的硅原子中的价电子形成“共价键”。这时硅原子不再呈电中性，好像失去了一个带负电的价电子，留下空位，称它为“空穴”。由于空穴有接收电子的性质，相当于一个正电荷。当掺入磷原子，它外层有五个价电子，形成共价键时就多出了一个价电子。此电子可以自由参加导电。把半导体中载运电荷的粒子称为载流子，带负电的自由电子和带正电的空穴都是半导体中的载流子。在掺杂的半导体中电子和空穴的数目是不相等的，这就有多数载流子和少数载流子之分。
载流子―在电场作用下，能作定向运动的粒子。
在半导体中，载流子有两种：自由电子和空穴。
4、本征半导体
完全纯净的、结构完整的半导体晶体。（纯净度 99.99999%）
5、杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。这种半导体称为杂质半导体。
根据所掺杂质的不同，分为P型半导体和N型半导体 。
（1）P型半导体：在本征半导体中掺入适量三价元素（硼、铝），形成空穴型（P型）半导体。它的导电能力大大**本征半导体。
①多子（主要导电的载粒子）：空穴。
②少子：自由电子（热激发形成）。
（2）N型半导体：在本征半导体中掺入适量五价元素（磷、锑），形成自由电子型（N型）半导体。
①多子（主要导电的载粒子）：自由电子。
②少子：空穴（热激发形成）。
在两种杂质半导体中，多子是主要导电媒介，数量取决于杂质含量；少子是本征激发产生的，数量取决于环境温度。虽然杂质半导体含有数量不同的两种载流子，但整体上电量平衡，对外不显电性