6AV2123-2MB03-0AX0技术参数

6AV2123-2MB03-0AX0技术参数

 PLC及其网络发展到现在，已经能够实现NBS或ISO模型要求的大部分功能，至少可以实现4级以下NBS模型或ISO模型功能。

    PLC要提供金字塔功能或者说要实现NBS或ISO模型要求的功能，采用单层子网显然是不行的。因为不同层所实现的功能不同，所承担的任务的性质不同，导致它们对通信的要求也就不一样。在上层所传送的主要是些生产管理信息，通信报文长，每次传输的信息量大，要求通信的范围也比较广，但对通信实时性的要求却不高。而在底层传送的主要是些过程数据及控制命令，报文不长，每次通信量不大，通信距离也比较近，但对实时性及可靠性的要求却比较高。中间层对通信的要求正好居于两者之间。

由于各层对通信的要求相差甚远，如果采用单级子网，只配置一种通信协议，势必顾此失彼，无法满足所有各层对通信的要求。只有采用多级通信子网，构成复合型拓扑结构，在不同级别的子网中配置不同的通信协议，才能满足各层对通信的不同要求。

    PLC网络的分级与生产金字塔的分层不是—一对应的关系，相邻几层的功能，若对通信要求相近，则可合并，由一级子网去实现。采用多级复合结构不仅使通信具有适应性，而且具有良好的可扩展性，用户可以根据投资情况及生产的发展，从单台PLC到网络、从底层向高层逐步扩展。下面列举几个有代表性公司的PLC网络结构。

    三菱公司的PLC网络

三菱公司PLC网络继承了传统使用的MELSEC网络，并使其在性能、功能、使用简便等方面更胜一筹。Q系列PLC提供层次清晰的三层网络，针对各种用途提供较合适的网络产品

（1）信息层/Ethernet（以太网） 信息层为网络系统中较高层，主要是在PLC、设备控制器以及生产管理用PC之间传输生产管理信息、质量管理信息及设备的运转情况等数据，信息层使用较普遍的Ethernet。它不仅能够连接windows系统的PC、UNIX系统的工作站等，而且还能连接各种FA设备。Q系列PLC系列的Ethernet模块具有了日益普及的因特网电子邮件收发功能，使用户无论在世界的任何地方都可以方便地收发生产信息邮件，构筑远程监视管理系统。同时，利用因特网的FTP服务器功能及MELSEC**协议可以很容易的实现程序的上传/下载和信息的传输。

（2）控制层/MELSECNET/10（H）  是整个网络系统的中间层，在是PLC、CNC等控制设备之间方便且高速地进行处理数据互传的控制网络。作为MELSEC控制网络的MELSECNET/10，以它良好的实时性、简单的网络设定、无程序的网络数据共享概念，以及冗余回路等特点获得了很高的市场评价，被采用的设备台数在日本达到较高，在世界上也是**的。而MELSECNET/H不仅继承了MELSECNET/10优秀的特点，还使网络的实时性更好，数据容量更大，进一步适应市场的需要。但目前MELSECNET/H只有Q系列 PLC才可使用。

（3）设备层/现场总线CC-Link  设备层是把PLC等控制设备和传感器以及驱动设备连接起来的现场网络，为整个网络系统较低层的网络。采用CC-Link现场总线连接，布线数量大大减少，提高了系统可维护性。而且，不只是ON/OFF等开关量的数据，还可连接ID系统、条形码阅读器、变频器、人机界面等智能化设备，从完成各种数据的通信，到终端生产信息的管理均可实现，加上对机器动作状态的集中管理，使维修保养的工作效率也大有提高。在Q系列PLC中使用，CC-Link的功能更好，而且使用更简便。

    在三菱的PLC网络中进行通信时，不会感觉到有网络种类的差别和间断，可进行跨网络间的数据通信和程序的远程监控、修改、调试等工作，而*考虑网络的层次和类型。

MELSECNET/H和CC-Link使用循环通信的方式，周期性自动地收发信息，不需要专门的数据通信程序，只需简单的参数设定即可。MELSECNET/H和CC-Link是使用广播方式进行循环通信发送和接收的，这样就可做到网络上的数据共享。

对于Q系列PLC使用的Ethernet、MELSECNET/H、CC-Link网络，可以在GX Developer软件画面上设定网络参数以及各种功能，简单方便。

    另外，Q系列PLC除了拥有上面所提到的网络之外，还可支持 PROFIBUS、Modbus、DeviceNet、ASi等其它厂商的网络，还可进行 RS-232/RS-422/RS－485等串行通信，通过数据专线、电话线进行数据传送等多种通信方式

所报道的采用不同技术所实施的毫米波振荡器相位噪声概观（在偏离载波1-MHz 处）。

• 较后，振荡器在较率下可实现的输出功率便成了一个重要的设计参数，特别是当器件工作在接近其fmax 时，这是因为，此时要进一步放大输出信号会变得格外困难。为了让输出功率达到较大，振荡器内部电压的摆幅需要达到较大。大多数III-V 器件，如InP HBT 就击穿电压而言具有不折不扣的优势，尤其是当其与CMOS 相比较时。这样便可以产生所报道的较高的输出功率。

100GHz 以上的高效率高功率源推-推振荡器

为了在100GHz 以上达到较高的振荡器输出功率，设计者们更倾向于推-推振荡器拓扑结构，在这个结构中，两个以相反相位相耦合的振荡器的输出合成到一起来产生一个具有强二阶谐波的输出信号。这个拓扑结构使得可以在现有有源器件技术上实现**fmax 的信号源，并且可以将现有高-Q 值谐振器技术的频率范围扩展[46]。此外，采用推-推拓扑结构，可以使用工作在基频而不是二阶谐波输出频率的静态或动态分频器来将相位锁相环（PLL）的振荡器锁定，以实现频率锁定信号源，从而将分频器的速度要求降低了一半。

毫米波频率的推-推振荡器的潜力已经得到了充分的展示。用不同的化合物半导体技术所实现的推-推振荡器已经在文献中有所报道：在[47]中报道了直到140GHz 的0.13μmGaAs PHEMT 振荡器，和在[48]中所报道的可以直到278GHz 的SiGe HBT 振荡器。即使是采用CMOS 技术也成功地实现了100GHz以上的信号源：人们已经报道了一个采用130-nmCMOS 技术的192GHz 推-推振荡器[49]。较近，采用45-nm CMOS 技术构建了一台工作在410GHz 的信号源[50]。然而，即使是采用推-推拓扑结构，由于硅基高速技术降低了的击穿电压以及纳米级CMOS 需要在低偏置电压下工作，在100GHz 以上可以观察到CMOS 推-推振荡器明显降低了的输出功率。例如，410-GHzCMOS 信号源具有20nW的输出功率，这可能不足以用在发射机应用中或驱动接收机的混频器中。正如在下列段落中所说明的，具有如此高功率的推-推振荡器的理想选择是InP 双-异质结HBT（D-HBT）技术，它将高的fmax 和高的击穿电压结合在一起。

振荡频率在220 和355GHz 的集成推-推振荡器是由Alcatel-Lucent/Bell- 实验室的0.5μm 发射较InGaAs/InP HBT D-HBT 技术来实现的，具有的较大振荡频率为335GHz 和4V 的击穿电压（Vbceo）[51]。

这些振荡器是基于一种平衡Colpitts 振荡器拓扑结构的。通过将相位相反的输出进行合成，并且使用短路截线（short stub）通过电抗部分在二阶谐波频率上来调节振荡器输出阻抗使其产生一个很强的二阶谐波信号[52]，如图5 所示。人们已经采用这个技术实现了不同的谐振器。图5 展示一个287GHz 的电路布局图。传输线谐振器LE，LB 和LC 是在7-μm 低-K 层间介电材料（εr=2.6）之上采用一个2-μm 厚的金板接地面通过薄膜微带线来实现的